单晶纳米铜上市公司，日本的科技怎么样？
我们知道，从上世纪90年代开始，日本经济长期陷入滞涨阶段，其GDP水平也被中国超越。在许多人的眼里，日本的实力已经不像我们想象的那么强了。尤其是中国有了华为这样的公司以后。但是事实绝非如此。
就拿高科技公司为例，提到中国科技公司，你会想到华为一个，而日本的知名企业有多少呢？索尼、东芝、夏普、松下、尼康......这些名字哪一个都具有世界影响力。虽然日本近年来有些默默无闻，但从2000年开始，19年时间日本就拿到了18个诺贝尔奖，有没有让人觉得细思极恐呢？
今天，我们就来一起看一下日本的真正实力。
在目前世界科技最前沿的位置，日本从未落后过。比如日本此前就发射了一颗小行星探测卫星，不但成功在小行星上实现了登陆，而且还能采样返回，这是什么样的技术水平才能实现的？我们现在连从月球上采样返回还没达到。窥一斑见全豹，日本到底隐藏了多少技术，这是目前的一个大谜团。但日本夸张的是，他们不但精于钻研，而且踏实肯干，这些科学技术在日本被迅速转化为生产力，这才造就了日本高科技公司遍地开花的局面。
实际上，日本在美国的压力下，肯定对自己的技术有所保留，因为日本不能挑战美国在高科技领域的地位。但是日本这个擅长隐忍的国家，很快就找到了新的发展方向，那就是向零部件制造业领域和材料领域，这些相当低调的方向发展，不跟美国抢风头。
现在的日本，是世界上最重要的高端零部件供应商，包括目前世界顶级的碳纤维，制造OLED屏的沉积系统镀膜机，永不松动螺母等，这些都是日本可以笑傲全球的高端零部件，美欧国家只能向日本求购。至于半导体领域，那就更夸张了。日本几乎在半导体领域的所有高端材料上都实现了世界顶尖，比如硅晶圆、光刻胶、键合引线、模压树脂等，有些甚至占据了全球90%以上的份额，如果没有日本提供这些材料，全世界的半导体发展都要退步好几年。
工欲善其事，必先利其器，日本在高端机床领域，当然也是世界领先。所谓高端机床，是指用来生产极其精密仪器的机床，比如潜艇螺旋桨，航空发动机等，机床的先进程度，直接决定了产品的性能。在高端机床领域，能够跟日本一较高下的只有美国和德国，这可是实打实的实力，可不是一点点GDP就能取代的。
我们不禁要问，是什么让日本掌握了这样强大的实力呢？小编认为，核心还是在于教育。
日本是世界上人口密度最大的国家之一，在教育上的投入其实并不多，但日本教育的水平却是世界上数一数二的，这从日本茫茫多诺奖得主和高级工程师中就能体现出来。很多人去日本旅游的时候，都会觉得日本这个国家非常有秩序，孩子们很独立也很有礼貌，这就是日本教育造就的。日本教育界始终秉持这一个态度，那就是不能为孩子安排以后的人生，而是让他们自己成长，学会生活，掌握知识。
国产芯片发展到什么水平了？
芯片制造的差距并不是单个方面，它是工艺的各个方面。许多智能手机或电脑都是中国制造，但是装有的中国“芯”却寥寥无几。
以前国家对微电子的重视程度是不够的，1200亿元扶持也就200多亿美元，美国一个公司就投入这么多的了。刚起步的时候我国半导体还是可以的，因为大家也都刚起步，差距也小，但接下来各种MOS,场效应管，集成电路，CPU，存储器已经问世，半导体春天来的时候，我们丧失了最好的机遇。现状半导体方方面面被国外控制，技术封锁，专利网交织，对后来者说还是很吃亏的。而且集成电路属于高精尖产业，需要投入的生产线花费是巨大的，跟建立一个核电站差不了多少了。
今年美国的DARPA已经投入7500万美元研究人体芯片，在人工智能方面，再炫酷的技术都要落到芯片上，中国的人工智能芯片望尘莫及。工欲善其事必先利其器，人工智能的根本是智能芯片，离开芯片你没办法找到第二种人工智能的实现方法。
说正题，集成电路产业总体上分为设计、制造、封装测试三大部分，先说在制造方面的差距：
（1）晶圆制备的差距
目前世界主流的IC衬底都是硅，通过化学反应提取电子级硅精度为99.9999%。运用电子级硅制造硅碇，这里硅的单晶生长技术主要有两种，悬浮区熔法和直拉法。然后将硅锭切割成Wafer，切割成厚度为几百微米。在晶圆的厚度和质量的要求方面，中国的晶圆制造就与世界存在着差距，一些低端的国产率较高的芯片，其中很大一部分买的国外的晶圆，然后自己切割，装外壳测试一下就是成品了。国内早期的技术就不如国外，不过随着国内集成电路的发展已经能实现。
（2）光刻技术的差距
现在说的32nm，7nm都是指的栅沟道宽度，而至关重要的一步就是光刻技术。光刻工艺主要两种，光复印工艺和刻蚀工艺。光刻机很贵的，国内大部分会买国外淘汰掉的光刻机，日本人保养的好，并且淘汰苛刻，国人更喜欢从日本购买。瓦森纳协议每过几年都会更新禁售列表，比如2010年90nm以下的设备都是不允许对中国销售的，到2015年就改成65nm以下的了，这些是美日严格限制出口的。
（3）材料
生产半导体芯片需要 19 种必须的材料，缺一不可，且大多数材料具备极高的技术壁垒。
其实回溯历史，致敬前辈，我们的集成电路也有家底。
我们国家的IC师从苏联，从模仿到自主设计，主要依靠从苏联获得的技术图纸和苏联在156工程中援建的电子管工厂设计、生产自己的计算机。
1952年成立电子计算机科研小组，由数学研究所所长华罗庚负责。
1954年，计算机小组转到中国科学院近代物理研究所，在钱三强的领导下工作。
1965年，中国自主研制的第一块集成电路在上海诞生（比美国晚了5年），从此中国进入集成电路时代。
国内早期的IC发展国内科研环境不好；中苏关系恶化，中国已无法得到苏联技术支援；西方对中国进行严格的技术封锁；科研力量和生产厂家全国东西南北遍地开花，科研力量分散；未能将CPU研发独立于计算机的研发；文革时期过于频繁的政治运动影响了科研工作的正常开展，科学家受到冲击离开了科研一线…………
下图是我们做实验用的光刻机，当时汞灯坏了修了好几次，四次光刻做成了BJT。在光刻间待好久出去世界都粉红了
oled与qled哪个更好？
与OLED相比，量子点技术则优势明显。甚至有人认为，量子点有可能是人类有史以来发现的最优秀的发光材料，量子点是溶液半导体纳米晶，每一个小粒子都是单晶，大小只有头发丝的万分之一左右。
只需要改变量子点的尺寸，就可以调出需要的颜色，而且色纯度非常高，晶体的稳定性也非常高，这是其它材料难以企及的，且不需要担心使用寿命问题。以上可以看出qled要好于oled。
日本公开的五代机航发真的达到了美军F22战机航发技术？
XF9-1涡扇发动机是日本IHI公司（石川岛播磨重工业）研制的一款大推力军用涡扇发动机。XF9-1涡扇发动机在基本结构上与美国F-22上使用的普·惠公司F119发动机相同，具有三级风扇、六级高压压气机、一级高压和一级低压涡轮，涡轮对转。发动机全长4.8米，风扇直径1米。涡轮进气温度2073.15K（约摄氏1800度）比F119的涡轮前进气温度高了100度。XF9-1型涡扇发动机军用推力11吨，加力推力超过15吨。从设计指标上看基本上达到了F119发动机的技术水平，从工程进度上比F119至少落后二十年以上，至于能不能研制成功目前下结论为时尚早。
XF9-1项目正式开始于2010年，并于2013年开始设计制造核心机，而设计制造压气机、低压涡轮、燃烧室、尾喷管等配套设备的工程也于2015年正式启动，经过4年的设计和制造，IHI于2017年6月研制成功XF9-1的核心机，并在2017年7月成功实现核心机点火。目前处于验证机阶段，计划于2019年底进行首次验证机点火试车。可以说万里长征刚走完第一步，后面还要完成验证机试验以及原型机试验，以及各种试飞工作，然后小批量生产完成设计鉴定。即使一切顺利，距离研制成功至少也还要十年以上的时间。
从历史上看，日本从未研制成功过战斗机使用的大推力军用涡扇发动机，如果能完成此型发动机的研制，有望成为继美俄中之后世界上第四个研制成功战斗机用大推力军用涡扇发动机的国家，可谓巨大的技术突破。不过也正因为如此，其面临的技术难度不是一般的大，能否研制成功尚未可知。与我国同级别的WS15发动机相比，技术水平接近，但其技术进度至少落后10年以上。
碳化硅有毒吗？
碳化硅无毒。
碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中。
碳化硅为应用广泛、经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。
碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种：
1、黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。
2、绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。
扩展资料：
立方碳化硅应用范围：
1、烧结微粉
β-SiC在高级结构陶瓷、功能陶瓷及高级耐火材料市场有着非常广阔的应用前景。普通碳化硅陶瓷在烧结过程中需要2300℃、2400℃、2500℃，加添加剂后也仍需2100℃才可结晶，而β-SiC在1800℃即可结晶。
并且在β-SiC晶型转换过程中，其体积也会发生变化，对陶瓷烧结致密性能起到良好的作用,从而增加碳化硅陶瓷的韧性和强度等综合性能。在碳化硼陶瓷制品中加入β-SiC能够在降低烧结温度的同时提高产品的韧性，从而使得碳化硼陶瓷性能大幅提高。
2、电子材料
作为半导性材料，β-SiC比α-Sic高几倍，添加β-SiC后的发电机抗电晕效果非常明显，同时还具有良好的耐磨、耐高温性能。纯度高的 β-SiC可制成单晶碳化硅晶片，其优异的导电、导热性使其在军工、航天、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅。用β-SiC做的电子封装材料、发热器、热交换器等具有高抗热震性，良好的热导性，产品性能大幅优于其他材料。
参考资料来源：
参考资料来源：